可変ストライプ長法によるInGaAs量子ドットのモード利得測定の層間膜厚依存性
可変ストライプ長法によるInGaAs量子ドットのモード利得測定の層間膜厚依存性
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使用可变条带长度方法测量 InGaAs 量子点模式增益的层间厚度依赖性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村山明宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高山純一;大竹章久;樋浦諭志;村山明宏
