Demonstrative operation of four-terminal memristive devices by controlling oxygen vacancy distribution in TiO2-x single crystals
Demonstrative operation of four-terminal memristive devices by controlling oxygen vacancy distribution in TiO2-x single crystals
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通过控制 TiO2-x 单晶中的氧空位分布来演示操作四端忆阻器件
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsuya Tohei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akira Sakai;Takuma Shimizu;Masato Shimotani;Shotaro Takeuchi;Tetsuya Tohei
