Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs
Current Progress on 2D Materials and their FETs for Future LSIs
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用于未来 LSI 的 2D 材料及其 FET 的最新进展
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hitoshi Wakabayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山岸 朋彦;堀 敦;宗田 伊理也;角嶋 邦之;筒井 一生;若林 整;五十里洋行;Hitoshi Wakabayashi
