Formation of lattice-matched GeSiSn/Ge quantum well structure by sputter epitaxy method
Formation of lattice-matched GeSiSn/Ge quantum well structure by sputter epitaxy method
复制标题
溅射外延法形成晶格匹配的GeSiSn/Ge量子阱结构
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshiyuki Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda
