Design and fabrication of planar guard ring termination for high-voltage SiC diodes
Design and fabrication of planar guard ring termination for high-voltage SiC diodes
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DOI：
10.1016/s0038-1101(00)00081-2
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发表时间：
2000-08
影响因子：
1.7
通讯作者：
D. Sheridan;G. Niu;J. Merrett;J. Cressler;C. Ellis;C. Tin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Sheridan;G. Niu;J. Merrett;J. Cressler;C. Ellis;C. Tin
