Understanding localized states in the band tails of amorphous semiconductors exemplified by a-Si:H from the perspective of excess delocalized charges
Understanding localized states in the band tails of amorphous semiconductors exemplified by a-Si:H from the perspective of excess delocalized charges
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从过量离域电荷的角度理解以a-Si:H为代表的非晶半导体带尾的局域态
DOI：
10.17863/cam.106154
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发表时间：
2024
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Luo Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Luo Y
