Effect of buffer layer and seedlayer materials on control of crystallographic orientation of Co_2MnGe layer onto a thermally oxidized Si wafer
Effect of buffer layer and seedlayer materials on control of crystallographic orientation of Co_2MnGe layer onto a thermally oxidized Si wafer
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缓冲层和种子层材料对热氧化硅片上 Co_2MnGe 层晶体取向控制的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Matsui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Yoshimura;M. Takano;Y. Takeda;H. Asano;M. Matsui
