Modelling of Interface Carrier Transport for Device Simulation

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DOI：
10.1007/978-3-7091-6644-4
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发表时间：
1994-12
期刊：
--
影响因子：
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通讯作者：
D. Schroeder
D. Schroeder
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
D. Schroeder

文献摘要

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1 简介.-2 卷中的电荷传输.-3 界面的通用电子模型.-4 界面上的电荷传输.-5 半导体-绝缘体界面.-6 金属-半导体接触.-7 半导体异质结.-8 MOSFET 栅极.-9 离散化.-附录.-A k 向量的变换.-B 横向动量守恒.-D 表面近似 移动性。-参考书目 209 索引。
1 Introduction.-2 Charge Transport in the Volume.-3 General Electronic Model of the Interface.-4 Charge Transport Across the Interface.-5 Semiconductor-Insulator Interface.-6 Metal-Semiconductor Contact.-7 Semiconductor Heterojunction.-8 MOSFET Gate.-9 Discretization.-Appendices.-A Transformation of k-Vectors.-B Conservation of Transverse Momentum.-D Approximation of Surface Mobility.-Bibliography 209 Index.