The study of in situ scanning tunnelling microscope characterization on GaN thin film grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
The study of in situ scanning tunnelling microscope characterization on GaN thin film grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
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等离子体辅助分子束外延生长GaN薄膜原位扫描隧道显微镜表征研究
DOI：
10.1063/1.4795790
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
Yang R
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang R
