計算科学手法を用いた GaN CMP における砥粒-基板間の化学反応機構の検討
計算科学手法を用いた GaN CMP における砥粒-基板間の化学反応機構の検討
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使用计算科学方法研究 GaN CMP 中磨粒与衬底之间的化学反应机理
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
五十嵐拓
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Aritra Sarkar;A. Nagesha;P. Parameswaran;R. Sandhya;K. Laha and M. Okazaki;Tomokazu Iyoda;五十嵐拓
