高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長

高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長
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使用高温退火 AlN 模板生长 220 nm 波段发光 AlGaN 量子阱

DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
三宅秀人
三宅秀人
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
石原頌也;窪谷茂幸;正直花奈子;上杉謙次郎;肖世玉;三宅秀人

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