Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by using HfZrAlO as ferroelectric layer of gate stack
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DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jingping Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xinge Tao;Lu Liu;Jingping Xu
