Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN
Idea to Passivate Dislocations by Positive Usage of Phase Separation in InGaN
复制标题
通过积极利用 InGaN 中的相分离来钝化位错的想法
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Araki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Nanishi;T. Yamaguchi;and T. Araki
