Development of Ultra-Wide Bandgap Amorphous Oxide Semiconductors for Future Electronics
Development of Ultra-Wide Bandgap Amorphous Oxide Semiconductors for Future Electronics
复制标题
未来电子领域超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hideo Hosono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junghwan kim;Hideo Hosono
