T.Noda, Y.Nagamune, Y.Nakamura, H.Sakaki: "Electron transport and optical properties of InGaAs quantum wells with quasi-perildic (Λ〜30nm) interface corrugation grown on vicinal (111 )B GaAs"Physica E. 13. 333-336 (2002)
T.Noda, Y.Nagamune, Y.Nakamura, H.Sakaki: "Electron transport and optical properties of InGaAs quantum wells with quasi-perildic (Λ〜30nm) interface corrugation grown on vicinal (111 )B GaAs"Physica E. 13. 333-336 (2002)
复制标题
T.Noda、Y.Nagamune、Y.Nakamura、H.Sakaki：“在邻位 (111 )B GaAs 上生长的具有准周界 (Λ〜30nm) 界面波纹的 InGaAs 量子阱的电子传输和光学特性”Physica E. 13 .333-336 (2002)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
