高速成長（0.43 μm/h）させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価
高速成長（0.43 μm/h）させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価
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高速（0.43 μm/h）生长的 GaInN 量子阱的弱和强激发 PL 评估
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赤﨑 勇
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市川 竜弥;高須賀 大貴;財部 覚;竹内 哲也;上山 智;岩谷素顕;赤﨑 勇
