Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs
Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs
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氮 δ 掺杂 GaAs 中单个等电子陷阱的双光致发光峰
DOI：
10.1016/j.physe.2007.10.047
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发表时间：
2008
影响因子：
3.3
通讯作者：
K. Onabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Endo;Y. Hijikata;H. Yaguchi;S. Yoshida;M. Yoshita;H. Akiyama;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
