Thermal Atomic Layer Etching of Gallium Oxide Using Sequential Exposures of HF and Various Metal Precursors
Thermal Atomic Layer Etching of Gallium Oxide Using Sequential Exposures of HF and Various Metal Precursors
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使用 HF 和各种金属前体的顺序暴露对氧化镓进行热原子层蚀刻
DOI：
10.1021/acs.chemmater.0c00131
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发表时间：
2020
影响因子：
8.6
通讯作者：
S. George
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Younghee Lee;Nicholas R. Johnson;S. George
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