Observation of 193-nm Photoresist Surface Exposed to Etching Plasma Employing C5HF7 Gas Chemistry
Observation of 193-nm Photoresist Surface Exposed to Etching Plasma Employing C5HF7 Gas Chemistry
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使用 C5HF7 气体化学观察暴露于蚀刻等离子体的 193 nm 光刻胶表面
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山本洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akihiko Takahashi;Kohta Takehara;菊雅美;山本洋
