M.Tsutsui, M.Asada: "Dependence of Drain Current on Gate Oxide Thickness of p-type Vertical PtSi Schottky Source/Drain MOSFETs"Japan. J. Applied Physics. 41・1. 54-58 (2002)
M.Tsutsui, M.Asada: "Dependence of Drain Current on Gate Oxide Thickness of p-type Vertical PtSi Schottky Source/Drain MOSFETs"Japan. J. Applied Physics. 41・1. 54-58 (2002)
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M.Ttsutsui、M.Asada：“p 型垂直 PtSi 肖特基源极/漏极 MOSFET 的漏极电流对栅极氧化层厚度的依赖性”，日本应用物理杂志 41・1。
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