Electronically induced dislocation glide motion in hexagonal GaN single crystals
Electronically induced dislocation glide motion in hexagonal GaN single crystals
复制标题
六方氮化镓单晶中的电子诱导位错滑移运动
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takeuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Maeda;Kunio Suzuki;M. Ichihara;S. Nishiguchi;K. Ono;Y. Mera;S. Takeuchi
