IUC：用于负载电阻、发射极触点和 TFT 的沉积/氢化 LPCVD 多晶硅的实验/理论研究-猫眼课题宝

IUC：用于负载电阻、发射极触点和 TFT 的沉积/氢化 LPCVD 多晶硅的实验/理论研究

批准号：

8520559

负责人：

Dae Kim

金额：

$23.54万

依托单位：

Oregon Graduate Institute of Science & Technology

依托单位国家：

美国

项目类别：

Continuing Grant

财政年份：

1986

资助国家：

美国

项目状态：

已结题

起止时间：

1986-02-01 至 1990-01-31

来源：

https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8520559&HistoricalAwards=false

关键词：

IUC Experimental Theoretical Study Deposited

项目摘要

项目成果

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中文摘要

翻译

对多晶硅薄膜进行了实验和理论研究。主要目标是：(1)加强对高场I-V行为（包括开关）的基本理解；(2)广泛表征了低掺杂限和高掺杂限下的电阻温度系数；(3)全面理解多晶硅中的TFT操作，包括反转模式操作；(4)模拟双极应用中多晶硅发射极触点的影响。

英文摘要

Experimental and theoretical studies of poly-Si thin films are conducted. The primary thrust is directed towards: (1) enhancing fundamental understanding of high field I-V behavior, including switching; (2) extensive characterization of temperature coefficient of resistance in low and high doping limits; (3) achieving comprehensive understanding of TFT operation in poly-Si, including the inversion mode operation; and (4) modeling the effect of poly-Si emitter contacts used in bipolar applications.

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