Vektorieller Millimeterwellen-Netzwerkanalysator

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Die enormen Fortschritte in der Halbleitertechnologie (SiGe, CMOS, GaAs ...) der letzten Jahre (z. B. fT/fmax > 300GHz für Silizium bzw. fT/fmax > 500GHz für GaAs) erlauben in Zukunft eine hohe Integration von Schaltkreisen, selbst bei Frequenzen im Bereich der Millimeterwellen (mmW). Gleichzeitig können bei diesen Frequenzen auf Grund der kleinen Wellenlänge (z. B. 5 mm bei 60 GHz) Antennen auf Chips oder in Chipgehäuse integriert werden. Dies ermöglicht die Integration von kompletten mmW-Funksystemen in sehr kleinen Gehäusen. In den nächsten Jahren ist am IHE intensive Forschung in den Bereichen integrierte mmW-Schaltkreise, Antennen und Lösungen für Gehäuse und Verbindungstechnik, sowie Systemkonzepte zur Realisierung zukünftiger Systemlösungen für Kommunikation und Radarsensorik geplant.Bei mmW-Frequenzen ist die Performanz eines hoch integrierten Moduls sehr empfindlich bzgl. Material und Geometrie aller Einzelteile. Aufwändige Simulationen können hierzu zwar relativ genaue Abschätzungen liefern, aber als Funktionsnachweis ist eine messtechnische Verifikation zwingend notwendig. Ohne eine gute Messtechnik zur Charakterisierung der extern gefertigten Halbleiter und Antennen sowie der am Institut integrierten Miniatur-mmW-Systeme ist eine Forschung in dem neu geplanten Forschungsbereich unmöglich. Das hier geplante Messgerät ermöglicht die Messung der Streuparameter bis über 300 GHz sowohl on-wafer als auch steckergebunden.