Vektorieller Millimeterwellen-Netzwerkanalysator

半导体半导体技术（SiGe， CMOS, GaAs…）与半导体半导体技术（z. B. fT/fmax > 300GHz f<s:1> r Silizium bzw.）fT/fmax > 500GHz f<s:1> r GaAs) erlauben in Zukunft eine in Schaltkreisen， selbbebefrequzen in berrich der毫米波（mmW）。Gleichzeitig können bei diesen频率auf地面auf kleinen Wellenlänge （z. B. 5 mm bei 60ghz）天线芯片在Chipgehäuse集成电路公司订购。模具ermöglicht模具集成完成mmW-Funksystemen在sehr kleinen Gehäusen。In den nächsten Jahren ist am IHE intensive Forschung In den Bereichen integrierte mmW-Schaltkreise, Antennen und Lösungen fgr Gehäuse and verindungstechnik, sowie Systemkonzepte zur Realisierung zuk<e:1> nftiger Systemlösungen fgr communications and Radarsensorik geplant。2毫米波频率列表性能线，其中集成了模块，实现了高性能。材料与几何学。Aufwändige Simulationen können hierzu zwar相对于genaue Abschätzungen lifefen，也称为funcktionsnachweis - ine messtechnische验证zwingend not end。在新研制的微型毫米波系统研究中心（www.forschungsbere.unmöglich），集成了微型毫米波系统研究中心（www.forschungsere.com/）的messtektechnik特性研究中心。该工厂的工厂Messgerät ermöglicht和Messung der Streuparameter都是<s:1> 300 GHz的sowol - on-wafer，也都是steckergebunden。

Die enormen Fortschritte in der Halbleitertechnologie (SiGe, CMOS, GaAs ...) der letzten Jahre (z. B. fT/fmax > 300GHz für Silizium bzw. fT/fmax > 500GHz für GaAs) erlauben in Zukunft eine hohe Integration von Schaltkreisen, selbst bei Frequenzen im Bereich der Millimeterwellen (mmW). Gleichzeitig können bei diesen Frequenzen auf Grund der kleinen Wellenlänge (z. B. 5 mm bei 60 GHz) Antennen auf Chips oder in Chipgehäuse integriert werden. Dies ermöglicht die Integration von kompletten mmW-Funksystemen in sehr kleinen Gehäusen. In den nächsten Jahren ist am IHE intensive Forschung in den Bereichen integrierte mmW-Schaltkreise, Antennen und Lösungen für Gehäuse und Verbindungstechnik, sowie Systemkonzepte zur Realisierung zukünftiger Systemlösungen für Kommunikation und Radarsensorik geplant.Bei mmW-Frequenzen ist die Performanz eines hoch integrierten Moduls sehr empfindlich bzgl. Material und Geometrie aller Einzelteile. Aufwändige Simulationen können hierzu zwar relativ genaue Abschätzungen liefern, aber als Funktionsnachweis ist eine messtechnische Verifikation zwingend notwendig. Ohne eine gute Messtechnik zur Charakterisierung der extern gefertigten Halbleiter und Antennen sowie der am Institut integrierten Miniatur-mmW-Systeme ist eine Forschung in dem neu geplanten Forschungsbereich unmöglich. Das hier geplante Messgerät ermöglicht die Messung der Streuparameter bis über 300 GHz sowohl on-wafer als auch steckergebunden.