SBIR Phase I: Type-II Mid-Infrared Lasers Grown on Compliant Universal Substrates

SBIR 第一阶段：在兼容的通用基板上生长的 II 型中红外激光器

• 批准号: 9760193
• 负责人: Chih-Hsiang Lin
• 金额: $ 9.94万
• 依托单位: Applied Optoelectronics, Inc.
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1998-01-01 至 1998-06-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9760193&HistoricalAwards=false
• 关键词: SBIR; Phase; Type; II; Mid

9760193 Lin Applied Optoelectronics will develop mid infra-red (3-5 microns) semiconductor lasers, capable of operating at temperatures greater than 220K, with pulse lengths greater than 10 microseconds, and at average output powers exceeding 10 mW. Type II quantum well lasers will be grown on GaAs universal substrates, allowing epitaxial side-down mounting, and using 980 nm InGaAs diode laser arrays as a pump source. Commercial applications for this technology include in-situ process control, remote chemical sensing, IR spectroscopy and glucose analysis.

9760193 林 应用光电公司将开发中红外（3-5微米）半导体激光器，能够在高于220 K的温度下工作，脉冲长度大于10微秒，平均输出功率超过10 mW。 II型量子阱激光器将在GaAs通用衬底上生长，允许外延侧下安装，并使用980 nm InGaAs二极管激光器阵列作为泵浦源。 该技术的商业应用包括现场过程控制、远程化学传感、红外光谱和葡萄糖分析。