Conformational changes of single molecules on semiconductor surfaces induced by inelastic electron tunneling processes (A02)

非弹性电子隧道过程引起的半导体表面单分子构象变化（A02）

• 批准号: 12857331
• 金额: --
• 依托单位: Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/12857331?language=en
• 关键词: Conformational; changes; single; molecules; semiconductor

Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie werden Einzelmoleküle mit Konformationsisomerieauf Halbleiteroberflächen und ultradünnen Isolatorschichten untersucht. Ziel ist es,Konformationsänderungen und angeregte molekulare Zustände durch inelastische Tunnelprozesse zuerzeugen und die Moleküldynamik über die adsorptive Bindung (Molekül/Substrat-Kopplung und molekulareOrientierung) zu kontrollieren. Hierdurch soll ein detailliertes Verständnis für die Wechselbeziehungzwischen Einzelmoleküldynamik und elektrischem Transport durch das Molekül entwickelt werden.

Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie韦尔登Einzelmoleküle mit Konformationsisomerieauf Halbleiteroberflächen und ultradünnen Isolatorschichten untersucht. Ziel is es，Konformationsänderungen und angeregte molekulare Zustände durch inelastische Tunnelprozesse zuerzeugen und die Moleküldynamik über die adsorptive Bindung（Molekül/Substrat-Kopplung und molekulareOrientierung）zu trollieren. Hierdurch soll ein detailliertes Verständnis für die Wechselbeziehungzwischen Einzelmoleküldynamik und elektrischem Transport durch das Molekül entwickelt韦尔登。