GaAs-Nanonadeln: Quantenchemische Untersuchungen zur Stabilität und zum Mechanismus des katalysatorgestützten VLS (vapour-liquid-solid)-Wachstums

GaAs纳米针：催化剂辅助VLS（气-液-固）生长稳定性和机理的量子化学研究

• 批准号: 150899541
• 负责人: Privatdozentin Dr. Cornelia Engler
• 金额: --
• 依托单位: Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikalische und Theoretische Chemie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/150899541?language=en
• 关键词: GaAs; Nanonadeln; Quantenchemische; Untersuchungen; zur

Halbleiternanonadeln besitzen ein großes technologisches Anwendungspotential in elektronischen und optoelektronischen Nanobauteilen. Voraussetzung für technologische Anwendungen ist die wohldefinierte Herstellung bezüglich Zusammensetzung, Struktur, Morphologie und geometrischer Anordnung auf einem Substrat. Hierfür wiederum ist ein grundlegendes physikalisches und chemisches Verständnis der Wachstumsprozesse erforderlich. In diesem Projekt sollen quantenchemische Untersuchungen zum katalysatorgestützten VLS (vapour-liquid-solid)-Wachstum von GaAs-Nanonadeln auf einer GaAs((1(1(1)B-Unterlage durchgeführt werden. Als Katalysator wird Gold, gegebenenfalls weitere geeignete Materialien, benutzt. Um Aussagen zur Wirksamkeit des Katalysators, zu den Möglichkeiten einer gezielten Beeinflussung des Wachstums auf Seitenflächen und auf der Substratunterlage durch äußere Reaktionsbedingungen (Temperatur, Konzentrationsverhältnis der Precursormoleküle) sowie zur Wachstumsrichtung der Nanonadeln zu gewinnen, werden Reaktionsmechanismen der in der Praxis üblichen Precursormoleküle Trimethylgallium (Ga(CH3)3), Trimethylarsen (As(CH3)3), Arsin (AsH3), aber auch Gallan (GaH3) an der Oberfläche des Katalysators, den Seitenwandfacetten und auf dem freien Substrat untersucht. Aus Oberflächenstabilitätsdiagrammen für mögliche Seitenwandfacetten werden Informationen über die Morphologie der Nanonadeln in Abhängigkeit von den äußeren Reaktionsbedingungen gewonnen. Die relative Stabilität der realen Nadeln (Durchmesser: 1 - 100 nm) soll in Abhängigkeit von Kristallstruktur (kubisch oder hexagonal), Durchmesser, Querschnittsform und Wachstumsbedingungen durch Modellierung der Nadeln aus Oberflächen- und Volumenanteilen erhalten werden.

Elektronischen和optoelektronischen nanobauteilen中的halbleiternanonadeln besitzen eingroßesandwendungspotential。 VoraussetzungFürTechnologischeanwendungen ist Die wohldefinierte herstellungbezüglichZusammensetzung，Struktur，Morphologie und geometrischer anordnung auf auf auf einem einem substrat。 Hierfürwiederumist ein grundlegendes physikalisches和chemischesverständnisderwachstumsprozesse除了katalysator的努力外，katalysator还将其转变为一个新的世界，并且已经使自己独特的风格恢复了独特的风格。 Beeinflussung is awakened by the Wachstums in the Abundance of Substratunterlage (Temperature, Konzentrationsverhältnis der Precursormoleküle) Beeinflussung Wachstumsrichtung der Nanonadelfeln zu gewinnen, werden Reaktionsmechanismen der Praxis üblichen Precursormoleküle Trimethylgallium （GA（CH3）3），Trimethyllarsen（AS（CH3）3），Arsin（Ash3），Aber Auch Gallan（GAH3）Oberflix des Katalysators和底物是信息来源。 The relevant information is to be explained in detail in the area of​​ ​​the Oberflix descent in the Abhängigkeit von den äußeren Reaching Nadeln (Durchmesser: 1-100 nm) (kubisch oder hexagonal), Durchmesser, Querschnittsform und Wachstumsbedingungen durch Modellierung der Nadeln aus Oberflächen- und体积埃尔顿·沃登（Erhalten Werden）。

项目成果

Reconstructions and surface facets of the GaAs(112)A and (112)B surfaces: First-principles DFT supercell calculations

• DOI: 10.1016/j.susc.2012.10.011
• 发表时间: 2013-02-01
• 期刊: SURFACE SCIENCE
• 影响因子: 1.9
• 作者: Jenichen, Arndt;Engler, Cornelia
• 通讯作者: Engler, Cornelia