Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometer (TOF-SIMS)

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Die beantragte TOF-SIMS-Anlage soll für die strukturelle und chemische Charakterisierung vonOberflächen und Grenzflächen in funktionellen Materialien verwendet werden. Ein Schwerpunkt liegtdabei auf der Analyse von ionenleitenden, elektronenleitenden und gemischtleitenden Materialien, dievon potentiellem Interesse für Anwendungen in der elektrochemischen Energiespeicherung und in derIonenaustauschchromatographie sind. Beispiele sind die Oberflächen von Ionenleitern nachelektrischer Polarisation oder Ionenbeschuss, Konzentrationsprofile von Ionen in gemischten Leitern und die Analyse von ionenaustauschenden Gruppen in Materialien für die Chromatographie. Ein Teil dieser Projekte ist Bestandteil einer geplanten DFG-Forschergruppe zum Thema „Räumliche und zeitliche Hierarchien im Transport von Ionen an inneren und äußeren Grenzflächen“. Zusätzlich soll die Veränderung in Bakterienhüllen nach Kälteschock analysiert sowie in der zentralenMassenspektrometrie-Abteilung Service-Messungen für den gesamten Fachbereich durchgeführtwerden. Die beantragte TOF-SIMS-Anlage erreicht eine Tiefenauflösung < 1 nm, eine lateraleAuflösung < 100 nm und eine Massenauflösung > 10.000. Der zur Verfügung stehendeTemperaturbereich erstreckt sich von -130 °C bis +600 °C. Diese Leistungsspezifikationen sind für diegeplanten Projekte ausreichend.