Halbleiternanopartikel als berührungsfreie optische Sonden in organischen Feldeffekttransistoren

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Innerhalb des beantragten Projektes werden anorganische Halbleiternanopartikel als optischeSonden in organischen Feldeffektransistoren eingebaut. An der Grenzfläche Isolator /organischer Halbleiter sollen diese Sonden die akkumulierten Ladungsträger, welche denleitfähigen Kanal im Transistor bilden, detektieren. Dabei wird erwartetet, dass etwa dasAbschnüren dieses Kanals sowie der Verlauf der Abschnürzone in Abhängigkeit des elektrischenFeldes zwischen Drain- und Source-Elektrode beobachtet werden kann. Die Detektion erfolgtüber Photolumineszenzmessungen in unterschiedlichen optischen Aufbauten. Hiermit wird esmöglich den Einfluss auf die unterschiedlichen Parameter wie spektrale Lage der Emission,Fluoreszenzintermittanz einzelner Nanopartikel sowie die Lebensdauer des angeregtenZustandes genau zu determinieren. Durch Vergleich mit elektrischen undrasterkraftmikroskopischen Untersuchungen wird es möglich die erhaltenen Ergebnissegenauer zu verstehen und somit einen wesentlichen Beitrag zur Nutzung vonHalbleiternanopartikeln als optische und berührungslose Sonden in elektronischenBauelementen organischer Halbleiter zu leisten.