Halbleiternanopartikel als berührungsfreie optische Sonden in organischen Feldeffekttransistoren

在一个有机的半导体纳米器件中，韦尔登的内部结构是一个有机的半导体纳米器件。在Grenzfläche Isolator /organischer Halbleiter sollen diese Sonden die akeulierten Ladungsträger，welche denleitfähigen卡纳尔im Transistor bilden，detektieren.大北将被证实，这是一个可以被韦尔登漏极和源极电极所观测到的吸收区的通道。在无干扰光学器件中的光致发光测量。因此，当发射光谱拉格较大时，纳米粒子会对非线性参数产生较大影响，因此可以确定一般情况下的寿命。在电子工程组织中，DALBLENIOPARTIKELN ALS OPTISHEY AND BERRUNGSLOSE SONDEN IN ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN organischer Halbleiter zu LEISTEN。

Innerhalb des beantragten Projektes werden anorganische Halbleiternanopartikel als optischeSonden in organischen Feldeffektransistoren eingebaut. An der Grenzfläche Isolator /organischer Halbleiter sollen diese Sonden die akkumulierten Ladungsträger, welche denleitfähigen Kanal im Transistor bilden, detektieren. Dabei wird erwartetet, dass etwa dasAbschnüren dieses Kanals sowie der Verlauf der Abschnürzone in Abhängigkeit des elektrischenFeldes zwischen Drain- und Source-Elektrode beobachtet werden kann. Die Detektion erfolgtüber Photolumineszenzmessungen in unterschiedlichen optischen Aufbauten. Hiermit wird esmöglich den Einfluss auf die unterschiedlichen Parameter wie spektrale Lage der Emission,Fluoreszenzintermittanz einzelner Nanopartikel sowie die Lebensdauer des angeregtenZustandes genau zu determinieren. Durch Vergleich mit elektrischen undrasterkraftmikroskopischen Untersuchungen wird es möglich die erhaltenen Ergebnissegenauer zu verstehen und somit einen wesentlichen Beitrag zur Nutzung vonHalbleiternanopartikeln als optische und berührungslose Sonden in elektronischenBauelementen organischer Halbleiter zu leisten.