STTR Phase I: Large scale manufacturing of silicon and germanium nanowires

STTR第一阶段:大规模制造硅和锗纳米线

基本信息

  • 批准号:
    0741130
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2008-01-01 至 2009-06-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This Small Business Technology Transfer (STTR) Phase I project will develop advanced materials for printed electronics. Nanowires are favorable in printed electronics because their form factor supports high electron mobilities, while at the same time allowing extreme mechanical flexibility. The project will use a process that can deliver the performance required of the market at cost point and throughput needed to meet the need. Additionally, the technology is "green" - focused on making environmentally sound silicon and germanium nanowires. The project will further optimize nanowires for printed electronics and improve the process. The boarder impact/commercial potential of this project will be a break development of advanced materials for the electronics market. The printed electronics market spans across several high value applications - from thin film transistors (TFT) for liquid crystal display (LCD) backplanes to radio frequency identification tags (RFID).
这个小型企业技术转移(STTR)第一阶段项目将开发用于印刷电子产品的先进材料。纳米线在印刷电子中是有利的,因为它们的形状因数支持高电子迁移率,同时允许极大的机械灵活性。该项目将使用一种工艺,能够以满足需求所需的成本点和吞吐量提供市场所需的性能。此外,这项技术是“绿色”的--专注于制造对环境无害的硅和锗纳米线。该项目将进一步优化印刷电子产品的纳米线,并改进工艺。该项目的更大影响/商业潜力将是电子市场先进材料的突破性发展。印刷电子市场跨越多个高价值应用--从用于液晶显示器(LCD)底板的薄膜晶体管(TFT)到射频识别标签(RFID)。

项目成果

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