Optische Phasenkontrolle in ultradünnen Manganatschichten

超薄锰酸盐层中的光学相位控制

• 批准号: 193779445
• 负责人: Dr. Elke Beyreuther
• 金额: --
• 依托单位: Professur für Experimentalphysik/Photophysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2017-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/193779445?language=en
• 关键词: Optische; Phasenkontrolle; ultrad; nnen; Manganatschichten

Dotierte Manganoxide besitzen stark korrelierte Elektronensysteme und zeichnen sich durch eine signifikante Wechselwirkung von Spin-, Ladungs-, Orbital- und Gitterfreiheitsgraden aus, was zu einer Vielfalt elektronischer/ magnetischer Phasen führt. Daher stellen diese Verbindungen auf einzigartige Weise hochkomplexe Modellsysteme für grundlegende Fragestellungen der Festkörperphysik dar. Die systematische Untersuchung lichtinduzierter Prozesse in Manganoxiden, die im Fokus dieses Projektes steht, ist eine vergleichsweise junge Forschungsrichtung mit hohem Erkenntnispotenzial. Ausgehend von der Entdeckung photoinduzierter Isolator-Metall-Übergänge sowie Widerstandsänderungen über viele Größenordnungen unter Beleuchtung in ultradünnen isolierenden Manganatfilmen sollen diese Phänomene in Abhängigkeit von den grundlegenden elektronischen Parametern der Bandbreite und der Dotierung studiert werden, um zu einem umfassenderen Verständnis der mikroskopischen Prozesse beizutragen. Die Kombination makroskopischer Untersuchungen der Leitfähigkeit, des Hall-Effektes, der Manganvalenz mit lokal-nanoskopischen rastersonden-basierten elektrischen Messungen – jeweils vergleichend unter Beleuchtung und im Dunkelzustand – soll Aufschluss geben über den Ursprung und die Eigenschaften der photogenerierten Ladungsträger sowie die räumliche Homogenität des lichtinduzierten Zustands. Ein besonderer Schwerpunkt wird dabei auf das Verständnis der Rolle des Substrates in Bezug auf Ladungsträgerinjektion und den Einfluss von Grenzflächeneigenschaften gelegt.

Dotierte Mnanoxide besitzen stark korrelierte Elektronensysteme und zeichnen sich durch eine signifikante Wechselectikung von Spin-，Ladungs-，Orbital- und Gitterfreiheitsgraden aus，was zu einer Vielfalt elektronischer/ magnetischer Phasen führt. Daher stellen diese Verbindungen auf einzigartige Weise hochkomplexe Modellsysteme für grundestragen de Fragestellungen der Festkörperphysik dar.系统地研究锰氧化物的诱导过程是一项非常有潜力的研究。Ausgehire von der Entdeckung photoinduzierter Isolator-Metall-Übergänge sowie Widerstandsänderungen über viele Größenndernungen unter Beleuchtung in ultradünnen isolierenden Manganatfilmen sollen diese Phänomene in Abhängigkeit von den grundeschen elektronischen Parameter der Bandbreite und der Dotierung studiert韦尔登，um zu einem umfassenderen Verständnis der mikroskopischen Prozesse beizutragen.该组合使发光体、霍尔效应、锰离子与局部纳米发光体的光电传感器结合，使发光体和吸收体之间的距离变小，从而使发光体的发光强度和发光体的本征值均匀。一个更好的Schwerpunkt将在Bezug中的Ladungsträgerinjektion和Grenzflächeneigenschaften gelegt的Einfluss中被用于验证基底的作用。

项目成果

Conducting and insulating LaAlO3/SrTiO3 interfaces: A comparative surface photovoltage investigation

• DOI: 10.1063/1.4858376
• 发表时间: 2013-12-28
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Beyreuther, E.;Paparo, D.;Eng, L. M.
• 通讯作者: Eng, L. M.

Electrical-transport characteristics of as-grown and oxygen-reduced La$_{0.7}$Ce$_{0.3}$MnO$_3$ films: calculation of hopping energies, Mn valences, and carrier localization lengths

• DOI: 10.1016/j.jpcs.2014.12.014
• 发表时间: 2014-08
• 作者: A. Thiessen;E. Beyreuther;R. Werner;R. Kleiner;D. Koelle;L. Eng

The Mn2+/Mn3+ state of La0.7Ce0.3MnO3 by oxygen reduction and photodoping

• DOI: 10.1088/0953-8984/26/4/045502
• 发表时间: 2013-10
• 期刊: Journal of Physics: Condensed Matter
• 作者: A. Thiessen;Elke Beyreuther;S. Grafstrom;Kathrin Dorr;Robert Werner;R. Kleiner;D. Koelle;Lukas M. Eng

Conductivity and magnetoresistance of La0.7Ce0.3MnO3−δ thin films under photoexcitation

光激发下La0 7Ce0 3MnO3âδ薄膜的电导率和磁阻

• DOI: 10.1088/0953-8984/27/2/025503
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Physics: Condensed Matter
• 作者: A. Thiessen;E. Beyreuther;R. Werner;R. Kleiner;D. Koelle;L. M. Eng
• 通讯作者: L. M. Eng