Spin dynamics and spin diffusion in semiconductor heterostructures (B04)

半导体异质结构中的自旋动力学和自旋扩散（B04）

• 批准号: 19615897
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/19615897?language=en
• 关键词: Spin; dynamics; spin; diffusion; semiconductor

Ziel des geplanten Teilprojektes ist die Untersuchung magnetischer Halbleiter-Heterostrukturen mitspinsensitiver Kurzzeit-Spektroskopie. Einerseits soll die Spinlebensdauer und Spinkohärenz vonElektron-Loch-Paaren in nichtmagnetischen GaAs- bzw. InGaAs-Quantenfilmen unter dem Einflusseiner durch eine Tunnelbarriere getrennten GaMnAs-Schicht studiert werden. Andererseits ist geplant,den Spintransport in GaMnAs-basierten Leuchtdioden mittels Elektrolumineszenz zeit- und ortsaufgelöstzu analysieren.

这两个基本的Teilprojektes是一个利用自旋敏感的Kurzzeit-Spektroskopie来研究磁性Halbleiter-Heterostrukturen。在非磁性GaAs- bzw中，电子-Loch-Paaren的自旋和自旋平衡是必需的。通过隧道阻挡层对InGaAs-Schicht薄膜的影响进行了韦尔登。此外，GaMnAs基发光二极管中的自旋输运也是一种电致发光和分析方法。