Electronic Structure and ManyBody Effects in Doped Graphene (B06)
Electronic Structure and ManyBody Effects in Doped Graphene (B06)
掺杂石墨烯中的电子结构和多体效应（B06）
批准号：
209736126
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
2012
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-12-31 至 2012-12-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Wir untersuchen den Einfluss von Dotierung auf die elektronische Struktur und Vielteilchenphänomene von Graphen auf Siliziumkarbid und Metallsubstraten. Die Dotierung geschieht mittels Einbau von Fremdatomen (Bor oder Stickstoff) in das Graphengitter. Die globale Bandstruktur und Vielteilchenphänomene werden mit winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie bestimmt. Begleitend dazu werden elektronische Transportmessungen durchgeführt.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
海外基金
