In situ transmission electron microscopy of resistive switching devices (B09)

电阻开关器件的原位透射电子显微镜（B09）

• 批准号: 277688395
• 金额: --
• 依托单位: Ernst Ruska-Centrum für Mikroskopie und Spektroskopie mit Elektronen
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2014-12-31 至 2022-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/277688395?language=en
• 关键词: situ; transmission; electron; microscopy; resistive

In Project B9, the focus will be on in situ TEM characterization of novel PCM and VCM materials during switching processes. Changes in atomic structure and local electric field distributions will be tracked with sub-nm spatial resolution using both pixelated STEM techniques and off-axis electron holography. For PCMs, the primary focus will be on studies of spatially confined devices, for which the small device sizes and short retention times complicate imaging. For VCMs, the primary focus will be on studies of defects, which require sub-atomic-resolution structural and chemical analysis.

在 B9 项目中，重点将放在新型 PCM 和 VCM 材料在切换过程中的原位 TEM 表征。将使用像素化 STEM 技术和离轴电子全息术以亚纳米空间分辨率跟踪原子结构和局部电场分布的变化。对于相变材料，主要重点是空间受限设备的研究，因为设备尺寸小和保留时间短使成像变得复杂。对于 VCM，主要重点是缺陷研究，这需要亚原子分辨率的结构和化学分析。