Raman-Verstärkung in Silizium-Wellenleitern

硅波导中的拉曼放大

• 批准号: 28893410
• 负责人: Professor Dr. Ernst Brinkmeyer
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Optische Kommunikationstechnik E-11
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/28893410?language=en
• 关键词: Raman; Verst; rkung; Silizium; Wellenleitern

Lichtemittierende Bauelemente und mit Erbium-Faserverstärkern vergleichbare Komponenten würden der integrierten Optik in Silizium, die ansonsten in fast jeder Hinsicht ein äußerst attraktives Gebiet darstellt, einen gewaltigen zusätzlichen Schub verleihen. Aufgrund der indirekten Bandstruktur sind Bemühungen der Lichterzeugung wie bei III-V-Halbleitern oder auch durch Erbium-Dotierung bisher nur wenig erfolgreich. Deutliche Fortschritte in bei der Lichterzeugung in Silizium zu erreichen, ist Ziel des vorliegenden Projektes. Es basiert auf stimulierter Ramanstreuung, einem Effekt, dessen Potential in Silizium erst im Jahre 2002 erkannt wurde. Die sich anschließende Forschungstätigkeit, vorwiegend vorangetrieben in den USA aber auch mit der Beteiligung unserer Arbeitsgruppe, hat gezeigt, welch wissenschaftlich reiches und gleichzeitig für Anwendungen zukunftsträchtiges Gebiet damit betreten wurde. Es befindet sich jedoch noch im Anfangsstadium und hat bislang erst zu einem erfolgreich demonstrierten CW-SOI-Ramanlaser geführt. Im vorliegenden Projekt sollen grundlegende theoretische Untersuchungen zum optimalen Wellenleiterdesign und zu limitierenden Effekten durchgeführt, SOI-Ramanlaser mit höherer Effizienz und mit Aussicht auf Abstimmbarkeit realisiert und die erforderlichen experimentellen Charakterisierungsaufgaben gelöst werden.

Lichtemittierende Bauelemente und mit Erbium-Faserverstärkern vergleichbare Komponenten würden der integrierten Optik in Silizium，die ansonsten in fast jeder Hinsicht ein äußerst attractives Gebiet darstelt，einen gewaltigen zusätzlichen Schub verleihen.在III-V-Halbleitern或Erbium-Dotierung中，直接带结构的增加对光的吸收有很大的影响。在Silizium中的照明设备旁边的德国堡垒是一个非常有前途的项目。2002年首次在拉曼光谱的基础上，研究了硅的潜在效应。这些研究人员在美国的工作也是由我们的雇员组成的，他们对国家的了解和对未来发展的认识都是很好的。这是一个很好的例子，它可以在安芳体育场内使用，也可以用来演示CW-SOI-拉曼激光器。在理论研究的基础上，对最佳的健康设计和有限的效应进行了研究，SOI拉曼激光器具有较高的效率和较好的Abstimbarkeit实现能力，并进行了韦尔登。