磁気近接効果によってPtに誘起される微小磁気モーメントと巨大な異常ホール効果

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昨年度の研究結果から、磁気近接効果についてCFO/Pt界面の詳細な界面構造についての評価を行った。界面構造はCFO上にPt層を製膜する際の製膜温度を100℃～600℃で変化させることで制御した。断面STEMによる観察からPtを600℃で製膜した試料においても、良好な界面が形成されていることが明らかになった。さらにFe, Coの全電子収量法によるXMCD測定から、CFO/Pt界面では原子レベルの拡散も無視できるレベルであることを明らかにした。これらの結果から、磁気近接効果を評価する上で重要である良好な界面を作製する目的では、本研究で採用している分子線エピタキシー法による製膜が有効であることを示した。磁気近接効果、すなわちPtに誘起される強磁性については異常Hall効果とXMCD測定から評価した。CFO/Pt二層膜においてHall測定を行ったところ全ての試料（Pt製膜温度：100～600℃）でヒステリシスなHall抵抗が得られ、Ptの異常Hall効果が観測された。スピンHall磁気抵抗効果など他の輸送特性の可能性を排除することで、Ptの異常Hall効果は磁気近接効果に起因することを見出した。またスケーリング関係の解析から、Ptの異常Hall効果が内因性機構であることを示唆する結果を得た。一方、XMCD測定ではPtの強磁性はPtを600℃で製膜した試料でのみ観測された。この強磁性シグナルを解析したところ、Ptの強磁性は界面由来であることを見出した。以上の結果をまとめ、2件の国際学会で発表した。