A study on semimetal thin film channel field-effect transistors
A study on semimetal thin film channel field-effect transistors
批准号:
20K14784
负责人:
Yoshizumi Toshihiro
金额:
$2.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31
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ビスマス薄膜における電界効果応答評価
铋薄膜的场效应响应评估
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[木村 仁哉, 宮﨑 理央, 富田 亮, 吉住 年弘]
通讯作者:
吉住 年弘
Pt薄膜トランジスタの量子輸送特性評価
Pt薄膜晶体管的量子输运特性评估
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[富田 亮, 木村 仁哉, 吉住 年弘]
通讯作者:
吉住 年弘
数ナノメートル膜厚のビスマス薄膜における磁気輸送測定
几纳米厚的铋薄膜中的磁输运测量
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[宮﨑 理央, 富田 亮, 木村 仁哉, 吉住 年弘]
通讯作者:
吉住 年弘
Pt薄膜の電界効果応答特性評価
Pt薄膜场效应响应特性评价
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[富田 亮, 木村 仁哉, 橘内 悟, 酒井 政道, 吉住 年弘]
通讯作者:
吉住 年弘
ビスマス薄膜の磁気輸送特性評価と2バンドモデル解析
铋薄膜磁输运特性评价及双能带模型分析
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[橘内 悟, 木村 仁哉, 酒井 政道, 吉住 年弘]
通讯作者:
吉住 年弘
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