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A study on semimetal thin film channel field-effect transistors

半金属薄膜沟道场效应晶体管的研究

基本信息

批准号：
20K14784
负责人：
Yoshizumi Toshihiro
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ビスマス薄膜における電界効果応答評価

铋薄膜的场效应响应评估

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
木村仁哉;宮﨑理央;富田亮;吉住年弘
通讯作者：
吉住年弘

Pt薄膜トランジスタの量子輸送特性評価

Pt薄膜晶体管的量子输运特性评估

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田亮;木村仁哉;吉住年弘
通讯作者：
吉住年弘

数ナノメートル膜厚のビスマス薄膜における磁気輸送測定

几纳米厚的铋薄膜中的磁输运测量

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
宮﨑理央;富田亮;木村仁哉;吉住年弘
通讯作者：
吉住年弘

Pt薄膜の電界効果応答特性評価

Pt薄膜场效应响应特性评价

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田亮;木村仁哉;橘内悟;酒井政道;吉住年弘
通讯作者：
吉住年弘

ビスマス薄膜の磁気輸送特性評価と2バンドモデル解析

铋薄膜磁输运特性评价及双能带模型分析

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
橘内悟;木村仁哉;酒井政道;吉住年弘
通讯作者：
吉住年弘

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作者：
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Yoshizumi Toshihiro其他文献

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