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A study on semimetal thin film channel field-effect transistors

A study on semimetal thin film channel field-effect transistors
半金属薄膜沟道场效应晶体管的研究
批准号:
20K14784
负责人:
Yoshizumi Toshihiro
金额:
$2.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31

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