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A study on semimetal thin film channel field-effect transistors
半金属薄膜沟道场效应晶体管的研究
基本信息
- 批准号：20K14784
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ビスマス薄膜の磁気輸送特性評価と2バンドモデル解析
铋薄膜磁输运特性评价及双能带模型分析
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橘内 悟;木村 仁哉;酒井 政道;吉住 年弘
- 通讯作者：吉住 年弘
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