A study on semimetal thin film channel field-effect transistors

半金属薄膜沟道场效应晶体管的研究

基本信息

  • 批准号:
    20K14784
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ビスマス薄膜における電界効果応答評価
铋薄膜的场效应响应评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村 仁哉;宮﨑 理央;富田 亮;吉住 年弘
  • 通讯作者:
    吉住 年弘
Pt薄膜トランジスタの量子輸送特性評価
Pt薄膜晶体管的量子输运特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    富田 亮;木村 仁哉;吉住 年弘
  • 通讯作者:
    吉住 年弘
数ナノメートル膜厚のビスマス薄膜における磁気輸送測定
几纳米厚的铋薄膜中的磁输运测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮﨑 理央;富田 亮;木村 仁哉;吉住 年弘
  • 通讯作者:
    吉住 年弘
Pt薄膜の電界効果応答特性評価
Pt薄膜场效应响应特性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    富田 亮;木村 仁哉;橘内 悟;酒井 政道;吉住 年弘
  • 通讯作者:
    吉住 年弘
ビスマス薄膜の磁気輸送特性評価と2バンドモデル解析
铋薄膜磁输运特性评价及双能带模型分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    橘内 悟;木村 仁哉;酒井 政道;吉住 年弘
  • 通讯作者:
    吉住 年弘
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Yoshizumi Toshihiro其他文献

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