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Single crystal growth of mixed semicoductor alloys using "predominant growth plane" at solid-liquid interface

Single crystal growth of mixed semicoductor alloys using "predominant growth plane" at solid-liquid interface
利用固液界面“主生长面”的混合半导体合金的单晶生长
批准号：
20K15070
负责人：
Shiga Keiji
金额：
$2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2021-2022)Tohoku University (2020)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K15070/
关键词：
結晶成長凝固双晶その場観察組織形成融液成長一方向凝固混晶半導体

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InSbの凝固界面における双晶形成のその場観察
InSb凝固界面孪晶形成的原位观察
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [志賀敬次, 髙橋温子, 前田健作, 森戸春彦, 藤原航三]
通讯作者： 藤原航三
Twin boundary formation at a grain-boundary groove during the directional solidification of InSb
InSb定向凝固过程中晶界槽处孪晶界的形成
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2021.126403
发表时间： 2022
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [Keiji Shiga, AtsukoTakahashi, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara]
通讯作者： Kozo Fujiwara
Facet formation during the solidification of pure antimony
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2022.126633
发表时间： 2022-03
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [Keiji Shiga;K. Maeda;H. Morito;K. Fujiwara]
通讯作者： Keiji Shiga;K. Maeda;H. Morito;K. Fujiwara
InSbの双晶形成頻度と過冷却度の関係
InSb孪晶频率与过冷度的关系
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [志賀敬次, 髙橋温子, 前田健作, 森戸春彦, 藤原航三]
通讯作者： 藤原航三
国内基金
海外基金
凝血试剂抗Xa发色底物法检测国产化研发
人凝血酶原复合物技术研究
再生铝液输送长效保温与凝固机制研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    李言栋
  • 依托单位：
    长江师范学院
Fe-25Ni-15Cr高温合金电渣重熔洁净度和凝固组织控制
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
  • 依托单位：
    武汉科技大学