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Single crystal growth of mixed semicoductor alloys using "predominant growth plane" at solid-liquid interface
利用固液界面“主生长面”的混合半导体合金的单晶生长
基本信息
- 批准号：20K15070
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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- 发表时间：2022-03
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Keiji Shiga;K. Maeda;H. Morito;K. Fujiwara
- 通讯作者：Keiji Shiga;K. Maeda;H. Morito;K. Fujiwara
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Fujiwara Kozo
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