Enhanced Phase Transition Properties in Fe3O4 Ultrathin Film Grown on Atomically Flat and Ordered Substrate
Enhanced Phase Transition Properties in Fe3O4 Ultrathin Film Grown on Atomically Flat and Ordered Substrate
在原子级平坦有序基底上生长的 Fe3O4 超薄膜的相变性能增强
批准号：
20K15116
负责人：
Osaka Ai
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2022-03-31
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MgO(001)完全表面基板上でのFe3O4 極薄膜の金属絶縁体相転移特性向上
MgO(001)全表面基底上超薄Fe3O4薄膜金属-绝缘体相变性能的改善
MgO(001)全表面基底上超薄Fe3O4薄膜金属-绝缘体相变性能的改善
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大坂藍 , 藤大雪 , 山内和人 , 佐野泰久 , 服部賢 , 田中秀和 , 服部梓]
通讯作者：
服部梓
完全結晶基板を利用した強相関電子系Fe3O4極薄膜の 金属-絶縁体相転移特性の向上
使用完美结晶基底改善强相关电子系 Fe3O4 超薄膜的金属-绝缘体相变性能
使用完美结晶基底改善强相关电子系 Fe3O4 超薄膜的金属-绝缘体相变性能
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服部 梓, 大坂 藍, 藤 大雪 , 山内 和人 , 佐野 泰久 , 田中 秀和]
通讯作者：
田中 秀和
触媒表面基準エッチング法で平滑化したMgO基板上に成長させたFe3O4極薄膜における金属/絶縁体相転移特性の向上
通过催化表面蚀刻方法平滑的 MgO 基底上生长的超薄 Fe3O4 薄膜的金属/绝缘体相变性能的改善
通过催化表面蚀刻方法平滑的 MgO 基底上生长的超薄 Fe3O4 薄膜的金属/绝缘体相变性能的改善
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manaho Matsubara, Kenji Sasaoka, Takahiro Yamamoto, and Hidetoshi Fukuyama, 大坂藍，藤大雪，山内和人，佐野泰久，田中秀和，服部梓]
通讯作者：
大坂藍，藤大雪，山内和人，佐野泰久，田中秀和，服部梓
Realization of high quality Fe3O4 thin film on atomically flat and high crystallinity MgO substrate surface
在原子级平坦且高结晶度的 MgO 基底表面上实现高质量 Fe3O4 薄膜
在原子级平坦且高结晶度的 MgO 基底表面上实现高质量 Fe3O4 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ai I. Osaka, D. Toh, K. Yamauchi, Y. Sano, H. Tanaka, A. N. Hattori]
通讯作者：
A. N. Hattori
Realization of Verwey Transition in 50 nm Fe3O4 Ultrathin Film Grown on Atomically Smooth Substrate
在原子光滑基底上生长的 50 nm Fe3O4 超薄膜中实现 Verwey 跃迁
在原子光滑基底上生长的 50 nm Fe3O4 超薄膜中实现 Verwey 跃迁
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. I. Osaka, D. Toh, K. Yamauchi, K. Hattori, X.Q. Shi, F.Z. Guo, H. Tanaka, A. N. Hattori]
通讯作者：
A. N. Hattori
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