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Electronic Phase Control and Development of Functionalities in Oxide Thin Films with Flat-band Structure

平带结构氧化物薄膜的电子相位控制和功能开发

基本信息

批准号：
20K15168
负责人：
Fujita Takahiro
金额：
$ 2.75万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Single crystalline Sn2Nb2O7 films with Ti-doping fabricated by pulsed laser deposition

脉冲激光沉积Ti掺杂单晶Sn2Nb2O7薄膜

DOI：
10.1063/5.0060084
发表时间：
2021
期刊：
APL Materials
影响因子：
6.1
作者：
Ito H.;Fujita T. C.;Kawasaki M.
通讯作者：
Kawasaki M.

Evolution of ferroelectricity in ultrathin PbTiO3 films as revealed by electric double layer gating

DOI：
10.1038/s41598-020-67580-8
发表时间：
2020-07-02
期刊：
SCIENTIFIC REPORTS
影响因子：
4.6
作者：
Nishino, Ryutaro;Fujita, Takahiro C.;Kawasaki, Masashi
通讯作者：
Kawasaki, Masashi

パルスレーザー堆積法による単結晶Sn2Nb2O7薄膜の合成とホールドープの試み

脉冲激光沉积法合成Sn2Nb2O7单晶薄膜及空穴掺杂试验

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
伊藤宏陽;藤田貴啓;川﨑雅司
通讯作者：
川﨑雅司

PbドープSrRuO3薄膜の強磁性と磁気輸送特性

Pb 掺杂 SrRuO3 薄膜的铁磁和磁输运特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
張霊飛;藤田貴啓;川﨑雅司
通讯作者：
川﨑雅司

Pulsed laser deposition and optical properties of Sn2Nb2O7 as a possible candidate of flat-band oxid

Sn2Nb2O7 的脉冲激光沉积和光学特性作为平带氧化的可能候选者

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro C. Fujita;Hiroaki Ito;Masashi Kawasaki
通讯作者：
Masashi Kawasaki

DOI：
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作者：
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Fujita Takahiro其他文献

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萩生翔大，野崎大地

Online Combinatorial Optimization with Multiple Projections and Its Application to Scheduling Problem

多重投影在线组合优化及其在调度问题中的应用

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
影响因子：
0
作者：
Fujita Takahiro;Hatano Kohei;Kijima Shuji;Takimoto Eiji
通讯作者：
Takimoto Eiji

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RIKEN RI Beam Factory 的 SCIT 电子散射设备

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通讯作者：
庄子正剛