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Development of novel single-molecule based memory devices
新型单分子存储器件的开发
基本信息
- 批准号：20K15367
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Spin Crossover between the High-Spin and Low-Spin States and Dielectric Switching in the Ionic Crystals of a Fe(II) [2 × 2] Molecular Grid
Fe(II) [2 × 2] 分子网格离子晶体中高自旋和低自旋态之间的自旋交叉和介电开关
- DOI：10.1246/bcsj.20200207
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Uezu Yuta;Tsunashima Ryo;Tanaka Chiaki;Fujibayashi Masaru;Manabe Jun;Nishihara Sadafumi;Inoue Katsuya
- 通讯作者：Inoue Katsuya
Molecular Memory and Method for Manufacturing Molecular Memory
分子存储器及制造分子存储器的方法
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
Structural Phase Transitions of a Molecular Metal Oxide
- DOI：10.1002/anie.202010748
- 发表时间：2020-09-30
- 期刊：
- 影响因子：16.6
- 作者：Fujibayashi, Masaru;Watari, Yu;Akutagawa, Tomoyuki
- 通讯作者：Akutagawa, Tomoyuki
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Fujibayashi Masaru其他文献
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基于铁磁性[MnⅡCrⅢ(草酸盐)3]晶体中的超分子结构的铁电性？
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2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Wu Jiabing;Takahashi Kiyonori;Fujibayashi Masaru;Huang Ruikang;Xue Chen;Kokado Kenta;Suzuki Yasutaka;Kawamata Jun;Nishihara Sadafumi;Hisaki Ichiro;Akutagawa Tomoyuki;Nakamura Takayoshi - 通讯作者：
Nakamura Takayoshi
Fujibayashi Masaru的其他文献
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