半導体デバイス表面近傍の微量ホウ素を定量する核反応分析法の開発

开发核反应分析方法来定量半导体器件表面附近的微量硼

基本信息

  • 批准号：
    21H04075
  • 负责人：
    Toyama Sho
  • 金额：
    $ 0.3万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
  • 财政年份：
    2021
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2021-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
核反応分析法を用いた ホウ素分析法の開発
利用核反应分析法开发硼分析方法
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryohei Miyadera;Hikaru Manabe;Kousei Suzuki;Taishi Aono;Shouei Takahasi and Sohta Kannan;墨野倉伸彦;辻尚史,高島孝太,櫻田陽,宮脇和人,磯部浩已;遠山　翔
  • 通讯作者：
    遠山　翔
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  • 影响因子：
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  • 期刊：
    Review of Scientific Instruments
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Toyama Sho;Matsuyama Shigeo;Miwa Misako;Akari Masashi;Fujita Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Fujita Katsuhiro

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