半導体デバイス表面近傍の微量ホウ素を定量する核反応分析法の開発
半導体デバイス表面近傍の微量ホウ素を定量する核反応分析法の開発
开发核反应分析方法来定量半导体器件表面附近的微量硼
批准号：
21H04075
负责人：
Toyama Sho
金额：
$0.3万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-04-01 至 2022-03-31
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会议论文
核反応分析法を用いた ホウ素分析法の開発
利用核反应分析法开发硼分析方法
利用核反应分析法开发硼分析方法
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryohei Miyadera, Hikaru Manabe, Kousei Suzuki, Taishi Aono, Shouei Takahasi and Sohta Kannan, 墨野倉伸彦, 辻尚史,高島孝太,櫻田陽,宮脇和人,磯部浩已, 遠山 翔]
通讯作者：
遠山 翔
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