低次元構造とキャリア数制御に基づくナノスケール熱電現象の開拓
低次元構造とキャリア数制御に基づくナノスケール熱電現象の開拓
批准号:
20H02830
负责人:
清水 直
金额:
$11.23万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2020-04-01 至 2025-03-31
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優れた熱電変換効率を有する熱電素子の実現に向け、低次元複合材料やナノ材料における熱電効果の研究が世界中で進められている。新規材料の合成、新たな理論計算や評価手法の開発に基づいた、次世代の新規熱電材料の開拓を継続的に進める必要がある。本研究では、様々なナノ材料の熱電特性を評価する方法の開発と、それを実際に熱電材料探索に適用する。本年度は、酸化タングステン(WO3)の薄膜作製および熱電効果の測定を行った。WO3薄膜は、土台となる基板の材料を適切に選択することにより、結晶構造を制御することができる。本研究ではイットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板上に、数ナノメートルから数十ナノメートルの厚さのWO3薄膜を作製した。フォトリソグラフィーにより、WO3薄膜を半導体チャネルとする電界効果トランジスタ構造を作製し、また同一基板上に温度計とヒーターを金属蒸着により作製した。これにより、試料温度とWO3薄膜中のキャリア密度を連続的に変化させながら、WO3の熱電効果を測定することが可能になる。イオン液体をゲート絶縁体とし、0 Vから3.9 Vのゲート電圧を印加したところ、電気抵抗の温度依存性が絶縁体的な振る舞いから金属的なものへ変化した。同時にゼーベック係数を測定したところ、ゲート電圧の増加に伴い、絶対値が減少した。これらの結果は、ゲート電圧の印加により、WO3薄膜に連続的に電子キャリアが注入されていることを示す。さらに、10 Kから室温までの温度範囲、0 Vから3.9 Vのゲート電圧の範囲で熱電出力因子を系統的に測定した結果、半導体から金属的な電子状態に移り変わるキャリア密度領域で最適化されることがわかった。本成果はScientific Reports 12, 7202 (2022).において報告した。今後、国内外の学会で本成果を発表する。
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Investigation of Subnanometer-Scale Structures of Ionic Liquid/Au Electrode Interfaces by 3D-SFM
利用 3D-SFM 研究离子液体/Au 电极界面的亚纳米级结构
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[榊原涼, 五十嵐陽彦, 吉野巧, 宮澤佳甫, 炭竈享司, 宮田一輝, 清水直, 岩佐義宏, 福間剛士]
通讯作者:
福間剛士
マイクロ・ナノ熱工学の進展
微纳热工程研究进展
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[マイクロ・ナノ熱工学の進展編集委員会, 丸山 茂夫, 稲田 孝明ほか17名]
通讯作者:
稲田 孝明ほか17名
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Sunao Shimizu, Junichi Shiogai, Nayuta Takemori, Shiro Sakai, Hiroaki Ikeda, Ryotaro Arita, Tsutomu Nojima, Atsushi Tsukazaki, Yoshihiro Iwasa]
通讯作者:
Yoshihiro Iwasa
低次元材料における電界効果の電界制御
低维材料场效应的电场控制
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松尾直樹, 山田高広, 榎木勝徳, 山根久典, 清水直]
通讯作者:
清水直
WO3薄膜の電界効果キャリアドーピングと熱電効果
WO3薄膜的场效应载流子掺杂与热电效应
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[清水直, 三輪一元, 岸朋哉, 大金剛毅, 常盤和靖, 小野新平]
通讯作者:
小野新平
共 10 条
低次元構造とキャリア数制御に基づくナノスケール熱電現象の開拓
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批准号:23K20278
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$0.92万
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财政年份:2024
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负责人:清水 直
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依托单位:
多層型銅酸化物高温超伝導体における低ドープ域の超伝導・磁気相図の解明
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批准号:23740268
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2011
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负责人:清水 直
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依托单位:
NMRによる、頂点フッ素系多層型高温超伝導体におけるセルフドープ状態の研究
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批准号:08J00992
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2008
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负责人:清水 直
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依托单位:
海外基金