希土類水素化物半導体から構成される薄膜トランジスタとその1Sバンド超伝導

稀土氢化物半导体薄膜晶体管及其1S带超导性

基本信息

  • 批准号:
    20K04583
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

過去2年間の結果を踏まえ①電気的輸送特性評価、②高圧化の輸送特性評価及び③薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下TFT)を製作に取りかかった。本研究ではPtキャップ付きYb膜を使用して水素素化物半導体YbH2膜の作製をしているが、前年までの研究で、ある温度以上(300~350℃)では、PtはYbH2層に拡散し、光学特性においてバンド端より低い波長領域特性に大きな影響を及ぼすことが判明した。YbH2-TFT作成にはPt除去プロセスが必要であるために、PtのYbH2膜への拡散の少ない水素化温度で試料作成を行っている。そうした中で、①については、温度条件を250℃に固定(理由は省略)して、0.6%から3%水素雰囲気でYb膜(300nm)を水素化したところ、10Ωcmから100Ωcm程度の抵抗率の試料を得ることができたために、ホール効果測定用の電極を形成後、共同研究者に測定を依頼したことろ、ホール効果の測定では、ノイズが大きく測定が困難であることが判明した。この原因解明と対策に多くの時間を費やした。②については、Cubicアンビル用の試料として、熱酸化膜付きSi基板(厚さ0.28mm)に 厚さ300nmのYbH2膜を作成したものが使用した。抵抗率が100ohm・cm程度の試料を測定に使用しましたが(薄膜ではMohmクラスの抵抗となる)電極付けが困難であった。しかしながら、12Gpaの圧力下で相転移らしき抵抗変化を見ることができた。→再測定が必要。4端子法での測定は、接触抵抗が大きい箇所があり、断念いた。そのために、論文にはしていない。③については、水素化処理後の試料を使用して、薄膜トランジスタの通常のレジストを使用したフォトマスク法での作成を試みたがマンパワー不足のために、断念した。
The results obtained in the past 2 years include (1) evaluation of electric transport characteristics,(2) evaluation of transport characteristics of high voltage, and (3) production of thin Film transistors (TFTs). In this study, the effects of Pt/YbH2 layer dispersion and optical properties on the properties of Pt/YbH2 layer at temperatures above 300~350℃ and in the low wavelength region were identified. YbH2-TFT preparation is necessary for Pt removal, Pt and YbH2 film dispersion and hydration temperature. After the formation of the electrode for the measurement of the effect, the co-investigator determined the effect of the measurement. It's hard to judge. The reason for this is clear and the policy is time-consuming. (2) For the preparation of YbH2 film with thickness of 300nm on Si substrate (thickness of 0.28 mm), thermal acidification film shall be used. It is difficult to measure the resistivity of the sample up to 100ohm·cm. Under pressure of 12Gpa, phase shift and resistance change are observed. Retesting is necessary. 4 terminal method of measurement, contact resistance, contact resistance. In the middle of the discussion, the text was written. 3. The use of thin film after hydration

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
イッテルビウム三水素化物膜の合成と伝導特性の評価
三氢化镱膜的合成及导电性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    橘内 悟;藤井 大樹;吉住 年弘;長谷川 繁彦;中村 修;酒井 政道
  • 通讯作者:
    酒井 政道
Evaluation of AlN-Pt as a hydrogen catalyst film
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yodkitti Tachalert1;Tetsuya Fujino1;Masahide Tokuda;Osamu Nakamura;Masamichi Sakai;Tatsuro Hanajiri
  • 通讯作者:
    Tatsuro Hanajiri
Hall effect in ytterbium hydrides
  • DOI:
    10.1016/j.physleta.2021.127740
  • 发表时间:
    2021-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.6
  • 作者:
    S. Kitsunai;Daiki Fujii;Toshihiro Yoshizumi;S. Hasegawa;O. Nakamura;M. Sakai
  • 通讯作者:
    S. Kitsunai;Daiki Fujii;Toshihiro Yoshizumi;S. Hasegawa;O. Nakamura;M. Sakai
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村 修 ;栗田満史 2;酒井政道 ,吉住年弘 ;花尻達郎
  • 通讯作者:
    花尻達郎
イッテルビウム二水素化物膜の電気伝導特性評価
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    橘内 悟,吉住 年弘;中村 修 ;長谷川 繁彦 ;酒井 政道
  • 通讯作者:
    酒井 政道
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