Degradation mechanism of Single Event tolerance on SOI devices having abnormal BOX layer structure
Degradation mechanism of Single Event tolerance on SOI devices having abnormal BOX layer structure
BOX层结构异常的SOI器件单粒子耐受性退化机制
批准号：
20K04612
负责人：
Sakamoto Keita
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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