高Al組成GaN-HEMTのドレイン電流伝導機構に関する基礎研究

高Al组分GaN-HEMT漏极电流传导机制的基础研究

基本信息

  • 批准号：
    24K07598
  • 负责人：
    葛原 正明
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Kwansei Gakuin University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2024
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态：
    未结题

项目摘要

项目成果

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ミストCVD法による4-nm Al2O3ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Low Rui Shan;河端 晋作;Joel T. Asubar;徳田 博邦;葛原 正明;谷田部 然治;内藤 健太;西村 和樹;中村 有水
  • 通讯作者：
    中村 有水
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浦野 駿;アスバル ジョエル;ロウ ルイシャン;ムハンマド ファリス;石黒 真輝;永瀬 樹;バラトフ アリ;本山 智洋;中村 有水;葛原 正明;谷田部 然治
  • 通讯作者：
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    本山 智洋;浦野 駿;バラトフ アリ;中村 有水;葛原 正明;アスバル ジョエル;谷田部 然治
  • 通讯作者：
    谷田部 然治
ミストCVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの作製と評価
采用 Al2O3 绝缘膜的雾气 CVD 法制备 AlGaN/GaN MIS-HEMT 并进行评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    本山 智洋;Ali Baratov;Rui Shan Low;浦野 駿;中村 有水;葛原 正明;谷田部 然治;Joel T. Asubar
  • 通讯作者：
    Joel T. Asubar

葛原 正明的其他文献

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