次世代パワー半導体実装用インバー合金メタライズ膜の高効率化学析出反応の解明
次世代パワー半導体実装用インバー合金メタライズ膜の高効率化学析出反応の解明
阐明用于下一代功率半导体封装的因瓦合金金属化薄膜的高效化学沉淀反应
批准号：
24K08121
负责人：
山本 貴代
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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