ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用
ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用
键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用
批准号：
24K08268
负责人：
秋山 亨
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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