還元電位が制御可能な金属層を介した半導体複合粒子：光触媒効果による二酸化炭素還元
還元電位が制御可能な金属層を介した半導体複合粒子：光触媒効果による二酸化炭素還元
通过具有可控还原电位的金属层的半导体复合颗粒：通过光催化作用还原二氧化碳
批准号：
24K08594
负责人：
秋山 賢輔
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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会议论文
シリコン系半導体スピントロニクス・デバイス材料のエピタキシャル成長に関する研究
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批准号：18686003
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.89万
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财政年份：2006
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负责人：秋山 賢輔
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依托单位：