IV族混晶半導体の物性制御による薄膜太陽電池用ボトムセルの開発
IV族混晶半導体の物性制御による薄膜太陽電池用ボトムセルの開発
通过控制IV族混晶半导体的物理特性开发薄膜太阳能电池的底部电池
批准号：
24KJ0509
负责人：
前田 真太郎
金额：
$2.88万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-23 至 2027-03-31
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