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Extreme characteristic semidonductor laser diode

Extreme characteristic semidonductor laser diode
极端特性半导体激光二极管
批准号:
19H02201
负责人:
Hamamoto Kiichi
金额:
$11.23万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31

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